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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流?#20302;?#22914;交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    如图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。

    IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。



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    42# EEPW网友 说:2018-09-26 16:40
    真牛逼
    41# EEPW网友 说:2017-04-04 22:02
    一般的igbt的开通和关断时间是多长呢
    40# 广州华工科技 说:2016-10-21 16:38
    富士IGBT模块中国总代理,广州华工科技开发有限公司,? 欢迎咨询020-85511281 李生
    39# EEPW网友 说:2016-07-13 14:15
    38# EEPW网友 说:2016-07-13 14:12
    37# EEPW网友 说:2016-07-13 14:12
    是大幅度发
    36# EEPW网友 说:2016-07-13 14:08
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    35# EEPW网友 说:2016-07-13 14:08
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    34# EEPW网友 说:2016-07-13 14:08
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    33# EEPW网友 说:2015-12-23 14:50
    大联大品佳-英飞凌一级代理 刘志平 QQ:185609588/Tel:18521067611
    32# EEPW网友 说:2014-09-03 17:43
    请问汽?#23548;禝GBT国际知名生产企业都有哪些?有知道的麻烦给说一下,谢谢!
    31# 云端 说:2014-07-21 06:57
    IGBT 管的好坏可以用万用表来测量吗?
    30# soothmusic 说:2014-07-20 06:13
    回答29# wyf86:
    这个问题很难回答,有的30年以上
    29# wyf86 说:2014-07-19 22:20
    IGBT的寿命一般多长?
    28# EEPW521 说:2014-06-20 07:06
    回答27# eepwlover:
    是的,设计的时候多注意。
    27# eepwlover 说:2014-06-19 22:23
    变频器工作时,IGBT的开关动作会产生高频干?#21028;?#21495;?
    26# EEPW521 说:2014-06-18 22:10
    回答25# eepwlover:
    新能源汽车
    25# eepwlover 说:2014-06-17 21:37
    大功率IGBT的主要驱动力是什么?
    23# EEPW网友 说:2014-04-21 16:08
    基于icepak的igbt温度场仿真应该采用哪种igbt?
    22# wyf86 说:2014-04-15 22:43
    回答21# soothmusic:
    通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通
    21# soothmusic 说:2014-04-14 22:36
    IGBT的开关作用是什么
    20# EEPW网友 说:2014-04-13 00:15
    很希望有IGBT的工艺流程
    19# EEPW网友 说:2014-03-13 14:42
    跪求适合传热分析的简单的IGBT的模型?
    18# wyf86 说:2014-03-12 20:10
    IGBT在关闭期间仍承受着高电压,且带有残余电流,滋生不小的开关损耗。
    17# EEPW网友 说:2014-03-04 13:39
    基于有缘栅极控制的IGBT,其实IGBT就是栅极控制吧?没什么特别含义吧?
    16# wyf86 说:2014-02-17 21:48
    回答15# soothmusic:
    输出漏极电流Id与栅源电压Ugs 的关系曲线
    15# EEPW网友 说:2014-02-16 21:42
    什么是IGBT的转移特性?
    14# 云端 说:2014-01-16 21:42
    回答13# wyf86:
    电流过大是一个原因
    13# wyf86 说:2014-01-15 22:12
    IGBT失效的原因是什么?
    12# wyf86 说:2013-11-07 21:16
    回答11# soothmusic:
    可使用MOSFET驱动技术进行触发
    11# soothmusic 说:2013-11-06 21:54
    IGBT栅极/发射极阻抗大,应该怎么触发?
    9# 云端 说:2013-10-04 21:13
    IGBT漏源电压与漏极电流的关系是怎样的?
    8# soothmusic 说:2013-09-30 21:54
    回答7# eepwlover:
    简单来说,就是栅源电压Ugs与输出漏极电流Id 的关系曲线。
    7# eepwlover 说:2013-09-29 22:34
    IGBT的转移特性是什么?
    5# 云端 说:2013-09-27 23:36
    选型IGBT,可以参考伏安特性曲线,Ugs与Id的关系是什么样的?
    4# soothmusic 说:2013-09-25 22:06
    回答3# eepwlover:
    它们都有高输入阻抗特性。
    3# eepwlover 说:2013-09-24 21:59
    IGBT的输入阻抗特性,与MOSFET一样吗?
    2# liyidong 说:2013-09-23 13:01
    IGBT的饱和压降低,适合应用在高压大电流的场合,但是其工作频率比MOSFET低。
    1# 云端 说:2013-09-22 21:35
    大功率开关电源中,使用IGBT作为开关管,比MOSFET好在哪里?
    EEPW521回答:2013-09-23
    IGBT的饱和压低,且驱动功率小。MOSFET载流密度小些,导通压降较大,开关速度要快,驱动功率却很小。
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